Journal des Sciences

Accueil Conseil scientifique Comité de rédaction Partenaires Recommandations
Comité de lecture Abonnements Numéros déja parus Dernier numéro Contact

JDS


Année 2015 Volume 15 Numéro 2

 


MEDECINE
Evaluation neurophysiologique du sommeil des patients atteints d’insuffisance rénale chronique et sous hémodialyse au Centre Hospitalier Régional de Saint-Louis. Neurophysiological evaluation of sleep in patients with chronic renal failure undergoing hemodialysis at the Regional Hospital of Saint-Louis

1Fatoumata BA*, 2Ibrahima DIALLO, 3Ndèye Fatou Ndoye SALL, 3El Hadji Makhtar BA, 4Aïssatou Seck DIOP, 5Modou Oumy KANE, 6Sidy Mohamed SECK, 4Abdoulaye BA, 1Lamine GUEYE

Résumé :

Les troubles du sommeil sont plus fréquents chez les patients atteints d’insuffisance rénale chronique et sous hémodialyse que dans la population générale. Des travaux ont montré une prédominance de l’insomnie, du syndrome d’apnées du sommeil, de la somnolence diurne excessive et du syndrome des jambes sans repos.

Nous avons mené une étude transversale et descriptive au sein de l’Unité d’hémodialyse et de Néphrologie du Centre Hospitalier Régional de Saint-Louis du Sénégal. L’objectif était de faire une évaluation clinique et électro encéphalographique du sommeil des hémodialysés.

Ce travail a concerné 21 sujets âgés en moyenne de 55,85 ans, avec une sex-ratio de 2,5 en faveur des femmes. Des plaintes subjectives  à type d’insomnie ont été retrouvées dans 85% des cas. La moyenne des scores obtenus à l’index de Pittsburg était de 9,67. Seuls trois patients présentaient une somnolence pathologique à l’échelle de somnolence d’Epworth. Les tracés EEG ont montré un sommeil stade I ou II chez la plupart. Des pointes et ondes lentes diffuses ont été notées chez 3 des sujets.

Ce travail montre aussi la nécessité de mettre en place des laboratoires de sommeil avec une polysomnographie, ce qui permettrait de faire des recherches approfondies pour diagnostiquer et mieux prendre en charge les sujets atteints.

Mots-clés : électroencéphalogramme ; hémodialyse ;  insuffisance rénale chronique ; Saint-Louis ; sommeil.

Abstract:

Sleep disorders are more common in patients with chronic renal failure undergoing hemodialysis than in the general population. Studies have shown a prevalence of insomnia, sleep apnea, excessive daytime sleepiness and restless legs syndrome.

We led a cross-sectional descriptive study in the Hemodialysis and Nephrology Unit of the Regional Hospital of Saint-Louis, Senegal. The objective was to perform a clinic and electro encephalographic study of sleep disorders.

This work involved 21 subjects with a mean age of 55.85 years, with a sex-ratio of 2.5 for women. Subjective complaints such insomnia was found in 85% of cases. The average PSQI score was 9.67. Only three patients had a pathologic scale Epworth sleepiness. EEG showed sleep stage I or II in most. Spikes and diffuse slow waves were observed in three subjects.

Also, this work shows the need to set up sleep labs with polysomnography which would allow to make in-depth researches to diagnose and better take care of the affected subjects.

Key words: chronic renal failure; electroencephalogram; hemodialysis; Saint-Louis; sleep

PDF



GEOLOGIE
CONTRIBUTION A UNE AMELIORATION DU BETON HYDRAULIQUE : CONDITIONS CLIMATIQUES ET ALCALI-REACTION AU SENEGAL – CLASSES D’EXPOSITION ET NIVEAU DE PREVENTION DES ZONES DE SAINT-LOUIS, LOUGA, DAKAR, THIES, FATICK ET ZIGUINCHOR.
1A. Cisse, 2P. G. Lo, 1S. Mbengue, 1A.A.Thiam et 1A. Ndiaye

PDF




PHYSIQUE
Effet de la diminution de l’épaisseur de la couche active des transistors en couches minces à base de silicium microcristallin sur leur performance

M. L. Samba,b, A. S. Maigac, T. Mohammed-Brahimb, G. Sissokoa.

Résumé :

Une étude expérimentale sur l’effet de la diminution de l’épaisseur de la couche active des transistors en couches minces TCMs fabriqués en technologie silicium microcristallin très basse température et utilisant le nitrure de silicium comme isolant de grille est présentée.

Dans cette étude, l’effet bénéfique de l’utilisation d’une très fine couche active des TCMs a été montré.

L’application d’une série de stress en tensions positives a montré que les TCMs ayant une épaisseur de couche active de 100 nm, présentent des caractéristiques stables. Le très léger déplacement des caractéristiques de transfert observé durant 6 heures de stress a été expliqué par un piégeage de porteurs dans le nitrure de silicium servant comme isolant de grille.

 L’étude de la stabilité électrique des TCMs utilisant des couches actives de différentes épaisseurs montre que les transistors utilisant des couches actives moins épaisses sont beaucoup plus stables et la mobilité n’y est que légèrement inférieure. Le silicium microcristallin de grande épaisseur (~ 200 nm) utilisé comme couche active aboutit à un transistor de mauvaise performance, une tension de seuil trop négative, une pente sous le seuil dégradée et un grand déplacement de la caractéristique de transfert sous un stress appliqué sur la grille.
Mots clés : Transistor en couches minces, isolant de grille,  silicium microcristallin, nitrure de silicium, stabilité.

PDF

Abstract:

It is presented an experimental study concerning the effect of reducing the thickness of the active layer of thin film transistors (TFTs) based on microcrystalline silicon fabricated at low temperature and using silicon nitride as the gate insulator.

In this study, the beneficial effect of using a very thin active layer of TCMs was shown.

The application of stresses in positive voltages showed that TFTs with 100 nm thick active layer have stable characteristics. The very weak displacement of the transfer characteristics observed during 6 hours of stress has been explained by trapping carriers in the silicon nitride serving as a gate insulator.

The study of the electrical stability of the TFTs with differently thick of active layer shows that transistors with thinner active layers are much more stable and mobility are only slightly lower. The microcrystalline silicon of greater thickness (~ 200 nm) used as the active layer results in a poor performance of the transistor, a threshold voltage too negative, a degraded subthreshold slope and a large displacement of the transfer characteristic under a stress applied on the gate.
Keyword : Thin film transistor, gate insulator, microcrystalline silicon, silicon nitride, stability.