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JDS


Année 2009 Volume 9 Numéro 1

 

GEOLOGIE


MATHEMATIQUES    

EVOLUTION MORPHO-STRUCTURALE ET BATHYMETRIQUE DE LA PARTIE SEPTENTRIONALE

DU BASSIN SENEGALAIS AU PALEOGENE

T. Miyouna, E. H. SOW, A. DIOP, P. M. NDIAYE, Diop I. NIANG

The different isopachs maps permitted to follow the morpho-structural and bathymetric evolution of the north part of Senegalese basin. The superposition of these maps with the interpretive tectonic one of the study area put out a brittle and distensive tectonic, similar to the one of the Jurassic – Upper Cretaceous period and having played repeatedly. This tectonic caused the downfall of some compartments and the setting up of marine gulfs that constituted during all the Tertiary the main penetration axis of the marine currents during transgressions. Two gulfs were evidenced and circumscribed: one along the western zone and the second to the Center-East, which is prolonging the one from Casamance. These gulfs constitute the maximal sedimentation area. This tectonic also provoked the uprising of some compartments: the horst of Ndiass that emerges since the Maastrichtian, the dome of Guiers that emerged at the end of the lower Eocene and the dome of Mboss - Alouki which set up at the end of the lower Eocene.

Keywords  Isopachs, dome, gulfs, tectonic, Tertiary

Les différentes cartes des isopaches des Etages du Tertiaire ont permis de suivre l’évolution morpho-structurale et bathymétrique de la partie septentrionale du bassin sénégalais.  La superposition de ces cartes avec celles de la tectonique interprétative de la zone d’étude a mis en exergue une tectonique cassante, distensive semblable à celle de la période Jurassique - Crétacé supérieur et ayant jouée à plusieurs reprises. Elle a occasionné l’effondrement de certains compartiments et la mise en place des golfes marins qui ont constitué durant tout le Tertiaire les axes principaux de pénétration des courants marins lors des transgressions. Deux golfes ont été mis en évidence et bien circonscrits : un le long de la zone occidentale et le deuxième au Centre-Est, prolongeant celui de la Casamance. Ces golfes constituent durant tout le Tertiaire, les zones à sédimentations maximales. Cette tectonique a également provoqué le soulèvement de certains compartiments : le horst de Ndiass qui a émergé depuis le Maastrichtien, le dôme de Guiers qui a émergé à la fin de l’Eocène inférieur et le dôme de Mboss – Alouki qui s’est mis en place à la fin de l’Eocène inférieur.

Mots clés
: Isopaches, dômes, golfes, tectonique, Tertiaire
. pdf

EXTENDABLE SET-VALUED RADON MEASURES 
Gabriel Birame NDIAYE

We prove mainly two one to one correspondence theorems between vector measures and vectors Radon measures if they are weakly compact ; set-valued Radon measures and set-valued weak measures, if they have the (FC) property of D. S. Thiam. We improve, using more direct proofs, results of A. Costé and D. S. Thiam : we characterize extendable set-valued measures I, we prove that they are rich, and that a function is I-integrable if it is so for each selection of I. This work unifies the ones of A. Costé, R. Pallu De la Barrière, D. S. Thiam, and E. Thomas
AMS Subject Classification: 28B20 ; 28C05 ; 28B05.

Keywords
:
convex analysis, integration, set-valued measures, integral of Daniell. pdf

PHYSIQUE 

CONTRIBUTION A LA RESOLUTION DE QUELQUES DIFFICULTES D’APPRENTISSAGE  EN ELECTRICITE EN CLASSE DE TERMINALE  C  ET  E  AU BURKINA FASO

Sankaon SOME, Frédéric OUATTARA

Few pupils have been evaluated in electricity training in the sixth form C and D. By analyzing their production, their difficulties can emerge and we propose solutions which will be able to improve their training conditions and also which provide best method to learn.
Keywords: Difficulty, Learning, Resolution, Electricity.

Quelques élèves de Terminales C et E du Burkina Faso sont évalués après un enseignement en électricité. A partir de l’analyse de leur production, nous identifions  les causes probables de leur difficulté, proposons des solutions  qui permettront  non seulement d’améliorer les conditions d’apprentissage mais aussi de franchir ces obstacles en situation de classe.
Mots clés : Difficulté, Apprentissage, Résolution, Electricité. pdf

DETERMINATION DU FRONT DE FUSION D'UNE PLAQUE DE PARAFINESOUMISE A L'ENSOLEILLEMENT 
Djim SECK, Ababacar THIAM, Vincent SAMBOU, Dorothé AZILINON, Mamadou ADJ


The storage of solar energy, especially latent heat, is one of the most promising for energy storage. These storage systems are not widely used because their design is hampered by the complexity of the phenomena of heat transfer occurring at the solid-liquid interface.
For this purpose, a study of the evolution of the merger front of a plate of paraffin (52-54) before the sun has been conducted on a sensor made in storage parallelepiped laboratory of apply energy (L.A.E). The plate is a square of side equal to one meter and four inches thick. The complexity of the problem addressed by this study involved the use of a method to an enthalpic. The results show a front overestimated by the analytical solution of Neumann, but underestimated by the model.
Keywords: Solar energy, heat latent storage, front of fusion, paraffin

Le stockage de l’énergie solaire, et particulièrement par chaleur latente, représente l’un des moyens les plus prometteurs pour l’économie d’énergie. Ces systèmes de stockage ne sont pas très répandus car leur conception est freinée par la complexité des phénomènes de transferts thermiques qui se déroulent au niveau de l’interface solide –liquide. Dans ce but, une étude de l’évolution du front de fusion d’une plaque de paraffine (52-54) soumise à
l’ensoleillement a été menée sur un capteur stockeur parallélépipédique fabriqué au laboratoire d’énergétique appliquée (L.E.A). La plaque est un carré de coté égal à un mètre et de quatre centimètres d’épaisseur. La complexité du problème visé par cette étude a nécessité l’emploi d’une méthode enthalpique à une dimension. Les résultats montrent un front surestimé par la solution analytique de Neumann, mais sous estimé par le modèle.
Mots clés : Energie solaire-Stockage- Chaleur latente-front de fusion-Paraffinepdf

ETUDE EN REGIME STATIQUE D’UNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTION VERTICALE PARALELLE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE

M. M. DIONE, M. THIAME, Z. NOUHOU BAKO, A. SAMOURA,  F. I. BARRO, G. SISSOKO

We present a theoretical study of a vertical junction silicon solar cell under constant monochromatic illumination.
Using the power series method to solve the continuity equation, an expression of the minority carriers’ density is obtained allowing us to determine both the photocurrent and photovoltage across the cell.
In the first part of this job we analyze the effect of the development order of the series on the minority carriers’ density in the base; secondly base depth and thickness effects on the excess minority carriers’ density in the base, on the photocurrent density, on the phototvoltage and on the current-voltage characteristic of our solar cell are illustrated.
Keywords:
Vertical parallel junction solar cell, photocurrent, photovoltage

Dans ce travail, une étude à une dimension sur une photopile au silicium à jonction verticale parallèle sous éclairement monochromatique est présentée.
A travers la résolution de l’équation de continuité des porteurs minoritaires de charges exprimée sous forme de série entière, nous procédons à une étude théorique dans la base de la photopile en régime statique, éclairée en face avant par une lumière monochromatique constante. Et successivement nous relèverons d’abord l’effet d’un ordre de développement de la série entière sur la densité des porteurs minoritaires dans la base ; ensuite nous analyserons les effets combinés de la profondeur dans la base et de l’épaisseur de cette même région sur la densité des porteurs dans la base, la densité de photocourant, la phototension et sur la caractéristique courant-tension de notre cellule solaire.
Les résultats ont montré qu’une augmentation de l’épaisseur de la base contribue positivement sur notre photopile alors qu’une augmentation de la profondeur dans la base agit négativement.

Mots clés : photopile à jonction vertical parallèle, densité des porteurs de charges, photocourant, phototension.  pdf

3D STUDY OF A POLYCRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL: INFLUENCE OF GRAIN SIZE AND GRAIN BOUNDARY RECOMBINATION VELOCITY  ON THE ELECTRICAL PARAMETERS

Alfred DIENG, Ndeye THIAM, Mamadou Lamine SAMB, Amadou Seïdou MAIGA, Fabé Idrissa BARRO, Grégoire SISSOKO 

In this paper, we present a theoretical study showing the influence of the grain size gv and grain boundaries recombination velocity Sgb on the diode current density Jd, P-V and I-V curves and electrical parameters such as series resistance Rs, parallel equivalent resistance Rp and capacitance C of a polycrystalline silicon solar cell under polychromatic illumination and modulation frequency. This solar cell is under weak magnetic field (about 10-8 T) and the relation between Sgb, gv and Jd, I-V, P-V and photovoltaic conversion efficiency is discussed.

Electrical parameters Rs, Rp and C are determined using the Nyquist diagram of the dynamic impedance of the solar cell; the determination method is based on the impedance spectroscopy. The use of Bode diagrams lead to the minority carrier lifetime trough the cut-off frequency and allows us to validate the AC-equivalent circuit of the solar cell.

Keywords: impedance;  frequency modulation; capacitance. 

 L'objectif de ce travail est de présenter une étude théorique montrant l'influence de la taille des grains gv et de la vitesse de recombinaison  aux joints de grains Sgb sur la densité de courant de la diode Jd, les caractéristiques    I-V et P-V et aussi sur les paramètres électriques tels  que la résistance série Rs, la résistance parallèle équivalente Rp et la capacité C de la photopile au silicium polycristallin sous illumination  polychromatique et modulation de fréquence. La photopile est sous l’effet d’un champ magnétique faible (environ 10-8T). Les paramètres    électriques telles que la résistance en série Rs, la résistance en parallèle Rp et la capacité C sont déterminés en utilisant le diagramme de  Nyquist de l'impédance dynamique de la photopile, la méthode de détermination est basée sur la spectroscopie d'impédance. L'utilisation du  diagramme Bode nous permet également d'extraire la durée de vie des porteurs minoritaires et nous permet aussi de valider le circuit  electrique équivalent de la photopile.

 Mots clés:
Impédance, Fréquence de modulation, Capacité. pdf